RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
28
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
23
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
16.5
Скорость записи, Гб/сек
7.1
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1668
2755
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link