RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
50
Около 44% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10.9
10.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.3
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
50
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
10.2
Скорость записи, Гб/сек
7.1
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1668
2248
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link