RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
34
Около 18% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
34
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
16.4
Скорость записи, Гб/сек
7.1
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1668
2616
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link