RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB против Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Средняя оценка
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
46
Около -64% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
4.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
4.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
28
Скорость чтения, Гб/сек
4.8
18.2
Скорость записи, Гб/сек
4.5
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1046
3463
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Jinyu 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link