RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB против Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
34
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.4
12.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.7
6.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
34
Скорость чтения, Гб/сек
12.2
15.4
Скорость записи, Гб/сек
6.9
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2046
2739
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link