RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB против Kingston 9905701-022.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
Средняя оценка
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
90
Около -200% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.4
1,140.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
90
30
Скорость чтения, Гб/сек
2,699.0
15.9
Скорость записи, Гб/сек
1,140.4
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
436
2505
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link