RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
50
65
Около -30% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.1
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
50
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
17.2
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3277
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link