RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
65
Около -132% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.4
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
18.5
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3402
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link