RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
65
Около -97% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
33
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
14.4
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2486
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9965516-481.A00LF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link