RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
65
Около -86% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.8
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
35
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
16.4
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2660
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link