RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
65
Около -117% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.8
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
18.5
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3431
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link