RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
65
71
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.9
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
71
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
15.8
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
1757
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Ramaxel Technology RMR5030MN68F9F1600 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link