RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
65
Около -183% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
17.1
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2960
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link