RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
65
77
Около 16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.6
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
77
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
14.7
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
1688
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link