RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
65
Около -141% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.1
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
18.0
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3711
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link