RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
12.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
65
Около -55% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.2
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
42
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
12.7
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2701
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link