RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
65
Около -97% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
33
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
16.2
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2973
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link