RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB против Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB
Средняя оценка
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
48
Около -109% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.8
1,819.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
23
Скорость чтения, Гб/сек
4,392.2
17.5
Скорость записи, Гб/сек
1,819.6
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
3037
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link