RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3754
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link