RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3409
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link