RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
72
Около 67% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
8.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
72
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1731
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link