RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3124
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB Сравнения RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link