RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2959
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB Сравнения RAM
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link