RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3330
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link