RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
4032
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link