RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2838
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link