RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
12.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3110
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB Сравнения RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link