RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3387
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link