RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.9
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3898
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link