RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
24
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.2
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3529
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link