RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3505
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link