RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3221
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link