RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
17.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
4000
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link