RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2576
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link