RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.5
11.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
24
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3116
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link