RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2635
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link