RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
71
Около 66% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
71
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1799
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link