RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2236
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link