RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 31
    Около 23% меньшая задержка
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    17.1 left arrow 16
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    15.3 left arrow 12.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 19200
    Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 31
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 17.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 15.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 25600
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 3520

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB Сравнения RAM

Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
модули RAM
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
модули RAM
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
модули RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
модули RAM
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
модули RAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
модули RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
модули RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
модули RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
модули RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
модули RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
модули RAM