RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2858
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link