RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
46
Около 48% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
46
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2973
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link