RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2920
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link