RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2175
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333+ 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link