RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.5
11.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
24
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
21
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3038
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link