RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
79
Около 70% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
79
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1330
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link