RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
79
Около 70% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
79
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1651
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link