RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
70
Около 66% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
70
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1923
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link