RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3199
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link