RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.9
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3346
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link