RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.9
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3567
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link